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2007-08-14 11:08:45| 人氣185| 回應0 | 上一篇 | 下一篇

快閃記憶體的替代品今年上市？

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英特爾公司今年會宣布推出相變化記憶體(phase-change memory，PCM)，揭開快閃記憶體逐漸被取代的序幕嗎？

這正是本周快閃記憶體高峰會(Flash Memory Summit)場外熱烈討論的話題。觀察者說，英特爾和意法半導體(STMicroelectronics)已組成製造記憶晶片的聯盟，可能不久之後就會宣布，今年將展開相變化記憶晶片(或稱ovonics)的商業量產。消息來源透露，意法半導體正迫不及待地想推出這種密度大於快閃記憶體的晶片。

英特爾尚未公開表示何時推出相變化記憶體，與會的英特爾快閃記憶事業部策略計劃經理Greg Komoto只表示，該公司已製作出90奈米相變化記憶晶片的樣本，而英特爾相信這種晶片將來有可能取代目前用於MP3播放機等裝置的NAND快閃記憶晶片。

他說：「目前再也找不到別種記憶體，兼具成本低的潛力與許多其他的特質。」

Objective Analysis分析師Jim Handy說，英特爾與意法半導體的合資公司名叫Numonyx。最先發明基礎相變化記憶技術的公司是Ovonyx，然後這家公司再把技術授權給英特爾等大廠使用。

Numonyx上個月宣布，將生產鎖定消費者市場的記憶體，並承諾今年稍後會再揭露更多的細節。

相變化記憶體的製作材料與CD光碟類似，只是把這種材料塑造成晶片。晶片上極微小的儲存單位(bit)從結晶狀轉化為無結晶狀，需要運用快速加溫方式，把溫度急速拉升到攝氏600度。

這種技術已歷經長期的發展。早在1970年，英特爾共同創辦人Gordon Moore就發表一篇文章，對這種記憶體讚許有加，並預言未來的展望亮麗。不過，後來，此技術仍經過漫長的改良過程。三星、飛利浦等製造商都曾嘗試開發這種記憶體。

同時，NAND快閃晶片大廠SanDisk的執行長Eli Harari預測，NAND快閃記憶體大約在七年後，就可能遭遇技術瓶頸。

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