CUN News 電腦新聞台 CUN電腦新聞台 CUN News By Computer User Network (http://hk852.to/cun/) From CNET資訊

1,906愛的鼓勵 2訂閱站台

本週三，SanDisk CEO Eli Harari在「快閃記憶體峰會」（Flash Memory Summit）上表示，一方面，NAND快閃記憶體逐漸打跨競爭對手，但它本身也有一些發展阻礙。

NAND已經使1英寸硬碟變成無用武之地，現在，它又對1.8英寸，甚至是更大的2.5英寸筆記電腦硬碟構成威脅。

他說，NAND下一個大市場將是視訊，明年，市場上將會出現配置更多快閃記憶體的相機和照相手機。明年，市場上還將出現更多的快閃記憶體筆記型電腦。

在未來的5-7年內，NAND還將開始取代DRAM。由於技術進步非常快，NAND已經由2001年的價格遠高於DRAM發展到了2007年遠低於DRAM。IBM和其他廠商已經在開發依賴NAND的固態伺服器。

但是，NAND也面臨一些困難：要繼續改進NAND晶片已經很困難了。Harari說，NAND的發展速度肯定會慢下來，存在一些基本的應用限制和基本的物理限制。

「我們還可以再發展3、4代，甚至是5代技術，然後，我們就需要全新的技術了。」他說，問題在於這些晶片中的零件不能再進一步縮小。

資料損毀是另一個問題。快閃記憶體通過在儲存單元中儲存電流的方式記錄資料。Harari說，在32奈米製程中，所損失的電子不能超過32個，否則資料損毀的風險便會開始提高。32個電子聽起來很多，但其實是非常小的。

轉捩點可能出現在20奈米製程晶片中。採用20奈米製程後，NAND晶片將能夠儲存256Gb資料，每個資料位元的成本將只有目前的十分之一，但要利用現有的製造製程和材料進一步改進NAND晶片則是極其困難的。

有哪些可替代性技術呢？SanDisk將開發以3D方式排列電晶體的技術。Harari表示，當土地很昂貴後，我們可以向高空發展。SanDisk收購了 3D記憶體晶片廠商Matrix Semiconductor。但是，Matrix晶片是不可重寫的，解決這一問題將是SanDisk的首要挑戰。

廠商還將在一個單元中儲存多個資料位元。目前，儲存密度最高的晶片能夠在1個單元內儲存2個資料位元，未來2、3年還將出現每個單元儲存3個資料位元的晶片，此後還會出現每個單元儲存4個資料位元的晶片。目前，大多數廠商還沒有開始討論每個單元儲存3個資料位元的晶片。其他公司還在開發相變化記憶體等技術。

成本是另外一個重要問題。Harari表示，生產線的建設成本已經高達50億美元，全球生產工廠近50%的生產能力將在未來2年內得到更新。NAND晶片廠商為此需要投入大量資金。

新生產線將使生產效率最高的廠商每年將價格下調30%-45%。不幸的是，在過去的二年中，NAND價格每年下滑的幅度高達60%。如果成本每年只能降低40%，價格就無法下調60%。併購將成為不可避免的一種選擇。