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Numonyx公司執行長Brian Harrison 31日宣布，已開始對客戶提供相變記憶(phase change memory；PCM)晶片的樣本，並預定在今年稍後開始商業量產PCM晶片。

Numonyx是意法半導體公司(STMicroelectronics)與英特爾合資成立的記憶晶片公司。

Harrison說：「我們今年會讓它上市，帶進一些營收。預計要一、兩年，才會商業普及化。」

這對PCM而言，可謂一大里程碑。長久以來，相變記憶體技術一直卡在「數年以後」的階段，動彈不得。

分析師Richard Doherty在2001年預言：「一、兩年後，PCM可能比快閃記憶體還便宜。」他並預測PCM技術可能在2003年上市。

英特爾共同創辦人也是「摩爾定律」發明人Gordon Moore則在1970年9月28日那期的《Electronics》上發表文章，預言「相變化非揮發性記憶體」(Ovonic Unified Memory；OUM)可望在2000年之前誕生。OUM與PCM其實是同一型記憶體。

然而，PCM姍姍來遲，大致有兩個原因。

一，此技術不容易駕馭。在相變記憶晶片中，基板(substrate)上極微小的 bit被加熱到攝氏150度至600度。基板的材質與製造CD光碟的材料相同，bit遇高熱則熔化，冷卻後又呈結晶狀，視降溫速度快慢變成兩種結晶構造體當中的一種。這兩種不同的結晶構造展現對電流高低不一的阻力，而這兩種不同程度的阻力於是形成電腦運算的0與1。資料於是產生。

二，快閃記憶體製造商不斷改良技術。2001年時，一些人士相信，快閃記憶體邁入65奈米級的晶片設計時會遭遇瓶頸，但結果此技術已提升到45奈米階段。今天，製造商用65奈米技術量產，45奈米晶片的樣本也已面世。Numonyx還製出32奈米的傳統NOR快閃記憶晶片樣本。

若是現成的技術還很好用，又何必換呢?

Harrison說，這些年來，英特爾與意法半導體在控制這種材質方面，已有長足的進步，特別是想出一種利用傳統晶片生產線製造PCM晶片的方法，大大地降低生產PCM晶片的障礙。

儘管Philips、IBM等廠商在PCM技術上都有進展，但Harrison說，目前為止只有三星接近商業量產階段。

Numonyx技術長Ed Doller說，效能是改用PCM晶片的主要動機。PCM晶片可耐數千萬次讀寫周期，遠比快閃記憶體耐用。在PCM晶片上讀取資料，只需70到100奈秒 (nanoseconds)，和NOR快閃一樣快。寫入資料的速度可達每秒1MB，則與NAND快閃晶片相當。而且沒有 ，與DRAM類似。

換句話說，PCM晶片兼具上述NOR、NAND、DRAM三種記憶晶片的最佳優點於一身。而且， PCM耗電量可能大幅降低。

同時，製造成本也在迅速下降中。Numonyx希望，明年能以45奈米製造生產PCM晶片，那麼在價格方面就可以跟single-bit-per-cell NAND快閃記憶體競爭。