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2007-02-01 22:44:54| 人氣163| 回應0 | 上一篇 | 下一篇

一腳跨進45奈米 英特爾：40年來最大突破

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「利用新的金屬材料，讓電晶體技術面臨最大改變。也再次印證了摩爾定律，」英特爾高層表示。

才在65奈米製程技術領先AMD將近一年，英特爾又加緊腳步在今年下半年推出45奈米產品（代號為Penryn）。英特爾邏輯技術研發部門45奈米計畫經理Kaized Mistry表示，由於採用了被稱為high-k的新材料來製作電晶體閘極電介質（transistor gate dielectric），而電晶體閘極的電極（transistor gate electrode）也將搭配採用新的金屬材料組合，令即將問世的Penryn得以大幅降低漏電與提升效能。

「這是自1960年代後期以降，電晶體技術所面臨的最大改變，」Mistry表示。在此之前電晶體技術是利用金屬氧化半導體（MOS）引進多晶矽（polysilicon）閘極。不過Mistry不願透露high-k以及新的金屬材料組合的內容為何。

Mistry是在上週五（1/27）對亞太區媒體的電話會議簡報中做上述表示，與會者還包括了英特爾邏輯技術研發部門資深人員Mark Bohr以及英特爾DEG事業群副總裁Steve Smith。

製程技術一向是晶片廠商持續努力的技術之一。因為更小的製程意味著晶片本身可以縮得更小，同一片晶圓切割出的晶片更多，製造商可節省成本、提高單位獲利；另外，由於之上可以置入更多的電晶體，有助於撙節耗電量及增進效能。對致力於開發多核心產品的晶片廠商而言尤其重要。

半導體業者所奉為圭涅的摩爾定律即指出：同樣大小的矽晶片內的電晶體數，每隔兩年就會加倍一次。

歷經40餘年的輪轉，摩爾定律在晶片廠商開發出65奈米製程產品後遇到瓶頸，因為用來製造切換閘極電介質的矽原料，在更小尺度下會出現漏電情況而無法正常運作，並損及晶片的效能。

「所幸，英特爾研究人員開發出能取代矽的high-k材料，進而使45奈米技術得以問世，」Mistry說。

根據英特爾提供的資料，相較於65奈米產品，45奈米技術使晶片可以裝進將近兩倍的電晶體；減少30％的耗電量；效能提升至少20%。

「英特爾也相信根據此技術，摩爾定律得以繼續衍生，」Bohr說。根據英特爾的規劃，2009年將邁入32奈米技術；2011年則是22奈米製程技術。

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