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2006-06-30 20:16:00| 人氣127| 回應0 | 上一篇 | 下一篇

在深凍狀態下晶片打破速度紀錄

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IBM與Georgia Tech公司表示，已成功把晶片執行速度提高到500GHz，打破有史以來矽晶片最快的速度，靠的是把溫度降到華氏零下451度。

這項實驗是探索矽鍺（SiGe）晶片最高速限計畫的一部分。SiGe晶片與標準矽晶片類似，不同點在於內含鍺(germanium)元素，以提昇效能並降低耗電量。

但添加鍺會造成矽晶圓和晶片的製造成本，所以SiGe晶片通常只用於少數特定的市場。IBM自1998年開始銷售SiGe晶片，這些年來累計已售出數億顆；相形之下，行動電話業者每年使用的矽晶片就高達數十億顆。

在室溫下，IBM-Georgia合作發展的Tech晶片執行速度達350GHz，也就是每秒鐘跑350個10億次周期。這種速度遠遠超越目前標準PC處理器的速度(從3.8GHz到1.8GHz不等)。不過，SiGe晶片在更低溫狀態下，執行效能會更強。

為探索SiGe晶片的效能極限，IBM與Georgia Tech的科學家把溫度凍結到華氏零下451度，幾乎極盡萬物最冰冷的狀態。自然界中，唯有在外太空才見得到如此嚴寒的氣溫，但在地球上可用液態氦 (liquid helium)等超低溫物質以人工方式營造這種極低溫狀態。絕對零度(Absolute zero)發生在華氏零下459度。

按科學家的理論，SiGe晶片有朝一日可能達到1兆赫(terahertz)，即每秒鐘1兆周期。

未來，高效能的SiGe晶片可能用於國防系統、太空探索載具和遙感探測等領域。

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