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2008-03-13 14:17:05| 人氣7| 回應0 | 上一篇 | 下一篇

打造全球DRAM霸主夢想 瑞晶R2廠年底進駐設備 第4、5座 12吋新廠

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【資料來源轉貼自】:2008/3/12電子2版【未上市股票】

打造全球DRAM霸主夢想 瑞晶R2廠年底進駐設備 第4、5座 12吋新廠 棄 NAND Flash改投產 50奈米DRAM力晶為打造全球最大DRAM集團,在DRAM景氣尚未復甦時,宣佈由爾必達與力晶合資的瑞晶二廠,將最在2008年底進駐3萬片產能的設備,原本生產NAND Flash的P4與P5廠也改投產標準型DRAM,且將直接切入50奈米製程投產。

力晶為了完成全球最大DRAM霸主夢想,進幾年來投資12吋廠從未間斷,2002年DRAM景氣渾沌不明時,董事長黃崇仁獨具慧眼,決定興建第1座12吋晶圓廠,當時很多同業均認為不可思議。不過,日後卻讓力晶在DRAM產業奠定重要的地位,2008年可說是再一次上演同樣戲碼。

此外,新動土的P4廠與未來P5廠將會投產DRAM,力晶評估後認為現階段投入NAND Flash市場,並不是很好,因此力晶新廠不會投入NAND Flash,未來以P1或P2廠專注NAND Flash生產,而力晶也會保持3座最新晶圓廠投產標準型DRAM產能。

他指出一旦P4與P5廠完工後,總產能將達到12萬片,加上總投資金額為2,500億元,加上力晶與瑞晶及爾必達產能,屆時整個聯盟月產能上看50萬片。


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