聯電(2303)遭美國司法部起訴指控與中國福建晉華公司共謀竊取美光商業機密，聯電發布聲明表示，外界認為聯電沒有任何DRAM知識或經驗，不是事實，且是極端的不實。
聯電今天晚間發布聲明指出，聯電是台灣起家的半導體公司。38年來，在全球的供應鏈上，已經成為不可或缺的一員，先進量產技術達14奈米。
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對比之下，美光(Micron)爭執所涉及的動態隨機存取記憶體(DRAM)技術，是32奈米，在聯電的計畫啟動當時，已經是落後幾個世代的技術。
聯電表示，社會上有一個錯誤的印象，認為聯電沒有任何DRAM的知識或經驗，這不是事實，而且是極端的不實。
從1996年到2010年，聯電積累了近15年製造DRAM產品的經驗。甚至在某個時間點上，聯電內部DRAM團隊人數，超過150人。
聯電指出，藉由堅實而穩定的團隊，掌握並保存了豐富的DRAM知識和經驗；現任共同總經理之一的簡山傑，便是1996年時開發DRAM產品的RAM製程開發經理。
聯電表示，另一個實例則是，Alliance是1996年第一個獲得聯電授權合作DRAM夥伴之一，是一家總部位於美國的DRAM晶片設計公司，藉由聯電的技術進行DRAM製造。
聯電又表示，除傳統的DRAM技術外，2009年聯電更成功開發了屬於自己的嵌入式DRAM製程技術，這比製造標準型DRAM的過程要複雜得多。
聯電指出，同意與福建晉華聯合開發DRAM製程，這是一個與聯電晶圓專工服務完全分開的單獨項目，在做成決策當時，只是一個符合所有合理商業考量的單純商業交易，已經向台灣政府正式提出申請，主管機關也已於2016年4月核准整個項目。值得一提的是，那時還未聽說有中美貿易戰。
自從開始為晉華開發DRAM製程技術，履行合約義務，聯電已經花費新台幣數億元。儘管這個專案的研發團隊成員接近300人，但只有不到10%的人曾在美光工作過。
聯電表示，其DRAM技術基礎裡的元件設計，是完全不同於美光的設計。另一個錯誤的印象是美光在美國開發了25奈米的DRAM技術，事實是，美光在2010年初，購買台灣的瑞晶和日本的爾必達的25奈米DRAM技術。
聯電強調，不要「在報刊上」進行這場訴訟，但聯電要向客戶和投資人保證，對於任何子虛烏有的控訴和誤認事實的指責，聯電將會全力並積極地自我防衛。
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