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（中央社記者張建中新竹16日電）市調機構集邦科技對明年記憶體市況展望保守，預期明年NAND Flash市場恐將明顯供過於求，並認為DRAM市場需求若無法有效去化新增產出，跌價情況恐將加劇。
集邦科技表示，動態隨機存取記憶體(DRAM)產業進入寡占格局後，三星、海力士與美光三大廠競爭並未停歇；受需求不振影響，今年來標準型記憶體價格已大跌近40%。
伺服器記憶體產品價格也在下半年跌勢加劇；僅行動記憶體需求在智慧手機市場帶動下仍有成長，隨著iPhone 6S記憶體搭載量來到2GB，價格跌幅相對收斂。
展望明年，集邦科技研究協理郭祚榮表示，三星為保有技術領先優勢，決議導入18奈米生產，海力士與美光也都計劃跟進，若需求端無法有效去化新增產能，DRAM顆粒價格跌勢恐將加劇。
至於儲存型快閃記憶體(NAND Flash)方面，集邦科技研究協理楊文得預期，受整體經濟環境影響，各代工終端需求與記憶卡、隨身碟等零售市場展望保守，明年位元需求成長率將約44%。
至於供給端，楊文得預期，隨著製程技術持續推進，3D NAND Flash開發進度加速，明年位元供給產出將成長達50%，明年整體NAND Flash市場恐將明顯供過於求。1041016
本文來自: https://tw.news.yahoo.com/%E6%98%8E%E5%B9%B4%E8%A8%98%E6%86%B6%E9%AB%94%E5%B8%82%E6%B3%81-%E5%B8%82%
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