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中國時報【黃文博╱台南報導】
日本大阪大學雖然掌握高功率半導體電子元件「銀╱銀低溫低壓直接接合」的關鍵技術，但對於如何接合的材料熱力學，一直不解，適逢成大材料系副教授林士剛前往該校客座，參與研究後發現，銀接合原因是「銀在微小奈米尺度下發生類似火山爆發」現象造成的。
發現「銀╱銀低溫低壓直接接合」技術的大阪大學產業科學研究所教授菅沼克昭，7日特別前來成大，陪同林士剛發表研究成果，他強調銀是未來先進電子產品中非常重要的連結材料，因此，林士剛能找出銀接合的不解之謎極具商業價值，發展性十足。
林士剛指出，過去學界認為，「銀╱銀低溫低壓直接接合」，在電子元件中，常見不受控制的自主細微金屬凸塊，這種密凸塊易造成電子系統短路等問題，甚至曾經導致衛星掉落。
不過林士剛到大阪大學客座時，發揮材料熱力學專長，發現了「銀的奈米火山爆發現象」，協助菅沼克昭團隊做到世上首次得以控制金屬凸塊生成，並大幅提高半導體電子元件性能，使元件微小化、簡化製程、降低成本，同時還可在高溫下維持效率，未來可運用在綠能、電動車等產業，也可技轉給國內廠商。成大與大阪大學已共同申請日本、台灣等多國專利。
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