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2008-12-19 14:03:59 | 人氣(65) | 回應(0) | 上一篇 | 下一篇

宣布針對 2Xnm 和下一代元件進行銅工藝技術合作取得突破性成果

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美通社-東京和加州聖何塞電:Tokyo Electron Ltd.(以下簡稱 TEL)和 Novellus Systems情趣用品, Inc. (NA情趣SDAQ:NVLS) 欣然宣布推自慰套出一種針對 2Xnm 和下一代元件的情趣用品綜合銅情趣連接解決方案。這一綜合金屬電鍍方案是雙方針對銅互連技術不斷改進而採取的一項合作按摩棒項目所取得的成果。 (圖片:http://www.news情趣com.com/cgi-bin/prnh/20081201/AQM05情趣用品0A ) 這一聯合開發的工藝採用充氣娃娃了離子化 PVD(物理情趣氣相沉積)氮化鉭 (TaN) 阻隔膜或鈦 (Ti) 阻潤滑液隔膜上覆蓋了一層超薄的 CVD(化學氣相沉積情趣用品)釕 (Ru) 阻擋層。然後,薄膜和釕阻擋層再配以專有的銅晶種層濕情趣用品法工藝(取代了 PVD 銅晶種層工藝)和一種銅情趣電化學沉積工藝,從而跳蛋在 2Xnm 技術節點實現滿帶細微特徵,而且沒有出現與 PVD 阻擋層及晶種相關的問題。威而柔情趣用品 這一新型金屬電鍍方案取得突破性成果主情趣要通過兩個關鍵步驟。第一個就是採用 TEL Trias Tandem(TM) 繫統通過 CVD 工藝實現釕阻擋層沉積。CVD 釕工藝以小於等於兩納米(20埃)的厚度在強大的鑲嵌功能中提供了出色的特徵保形性和電阻率。這個專有的 CVD 釕工藝和硬件提供傑出的生產速率,可以高效利用釕前驅物。在大規模生產中,CVD 釕工藝(包括預清洗和阻隔膜工藝)的耗材成本將是所有選項中最具吸引力的。PVD 釕工藝或 ALD(原子層沉積)釕工藝均不能達到這樣的耗材成本水平。 這一新型金屬化方案的第二個關鍵步驟是一種稱為 DirectSeed(TM) 的銅晶種濕法工藝,它採用的是 Novellus SABRE(R) Extreme(TM) 電化學沉積工具。Novellus 的 DirectSeed 是一項專有技術,該技術可直接在 CVD 釕基材上沉積平整、保形的銅晶種層,其厚度小於等於3納米(30埃)。DirectSeed 工藝消除了對 PVD 銅晶種層的需求,也消除了 PVD 的加工難點,其中包括階梯覆蓋、懸空和特徵陰影。

台長: 小瑞
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