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第三代半導體

第三代半導體禁帶半導體SiC/GaN具備高熱導率、高擊穿場強、高飽和電子漂移速率等物理特性，因此其天然適合對高溫、高功率、高壓、高頻以及抗輻射等惡劣條件要求較高的應用，被視為電力電子領域的顛覆性技術。SiC在汽車OBC（車載充電器）和DC-DC組件應用已經相對成熟，而基於SiC的主驅逆變器仍未進入大規...
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